磁共振成像（MRI )是利用無損傷的核磁共振方法對人體任意斷面進行成像的一種先進技術,其基本原理是將人體置于特殊磁場中,用無線電射頻脈沖激發人體內氫原子核,引起氫原子核共振，并吸收能量。在停止射頻脈沖后,氫原子核按特定頻率發出射電信號，并將吸收的能量釋放出來，被體外的接收器記錄，經過電子計算機處理獲得圖像。在這個過程中由于氫原子釋放出的電信號十分微弱，極易受到外界的干擾，因此對核磁機房建設提出很高的要求。

環境要求

1、MR磁體的強磁場與周圍環境中的大型移動金屬物體可產生相互影響,遠離大型金屬運動體,不靠近垂直起降電梯；不靠近馬路；不靠近火車道；地下無輕軌等,具體限制請參見表1。

表1

2、近距離的鐵磁質物質會影響 MR磁場的均勻性,因此離磁體中心點2m內的所有鐵磁質物質及重量(包括建筑鋼筋、下水道、暖氣管道等)都必須提交給工程師以做評估。

3、震動會影響 MR的圖像質量,對MR場地的震動要求為：

(1)穩態震動(通常由電動機,泵,空調壓縮機等引起 )在0.5～80Hz 頻率范圍內不得超過0.001m/s2。

(2)瞬態震動(通常由交通工具,行人,開關門等引起 )不得超過0.01 m/s 2(0到峰值)。

MR場地要盡量遠離以下震動源：發電機、泵站、停車場、大型電機等。

4、MR場地附近無射頻電磁波源:如電視發射臺、通信發射機站等等 ;無大電壓和強電流設備；高壓線、變壓器、大型發電機等物體。

5、若附近有磁共振設備,兩臺磁共振的 3G線不能交叉。

6、MR磁體的強磁場與周圍設備會產生相互影響,具體限制請參照表2。

表2

系統電源要求

1、核磁共振的電源要符合國家規范的三相五線制供電系統。電壓380V,大偏差不得超過±10%。頻率50Hz,大偏差不得超過±3Hz。相間電壓間的大偏差不得超過小相電壓的2%。要有充足的電源功率余量。

2、要求專線供電,推薦安裝獨立變壓器。避免與電源電壓變化大的負載共用,為防范突然停電和電網波動給設備帶來不可估量的損害,還應配備穩壓電源和不間斷電源(UPS)。

3、要求設置設備專用PE線(保護接地線),接地電阻小于2Ψ,且必須采用與供電電纜等截面的多股銅芯線。

4、空調、洗片機、照明及電源插座用電必須與系統用電分開。

5、磁體間使用直流照明,避免交流電產生的交變磁場，導致成像質量下降,并且所有照明及插座用電都必須經傳導板上的線電源濾波器進入以防止外界干擾引入。

磁體間承重要求

1、考慮磁體自重較大,需要做好受力分析,設計承重能力,以確保安全。

2、磁體基座單獨澆鑄成塊,3m水平差小于3mm,磁體應牢固的安裝于水泥基座上。

溫度、濕度、通風及上下水要求

1、MRI機對環境溫度、濕度的要求,特別是計算機房的要求有著嚴格規定：溫度要保持在18℃-22℃,濕度控制在 60%左右,不超過 70%為宜。濕度過小,空氣過于干燥,會導致某些材料和結構性能變化,以及靜電的產生對電路的影響。而濕度過大,空氣中的水分凝結并附著于電氣元件上,導致電氣性能改變,一旦精密機械表面因長期受潮而生銹會降低精密度,甚至引起高壓放電或擊穿。另外永磁磁體的核磁則對溫度的變化極其敏感,故磁體間的溫度梯度(從磁體底部到頂部 )應嚴格控制在3℃以內。

2、空調進出風口離磁體中心至少1.5m以上，確保出風口不直接吹到磁體上。

3、因設備間必須安裝下送風、上回風系統,磁體間(上送風、上回風 )不得有空調機組,故整個MR系統必須配備專用機房空調(雙壓縮機組 )。超導設備還要配備有氦泄漏緊急排風系統。

4、機房專用空調附近要求上下水及地漏。

5、濕式洗片機房要求上下水、地漏及洗手池。

電磁屏蔽要求

由發射器與接收器組成的射頻單元,是MRI系統的重要組成部分,發射器工作時產生的RF脈沖處于電磁波譜的米波段,極易干擾鄰近的無線電設備。另一方面線圈接收的共振信號功率為納瓦級容易受干擾。因此磁體室必須安裝有效的RF屏蔽。

一般采用的RF屏蔽是用銅板(銅網 )鑲嵌于磁體室的六個面及門內,接縫采用氬弧焊和無磁螺釘鏈接。地板內的屏蔽還采用防潮、防腐和絕緣處理。觀察窗的玻璃間用銅絲網屏蔽。另外進出磁體室的電源線、信號線均通過濾板進出磁體室的送風管 、回風管和氦氣回收管等通過相應的波導管。屏蔽工程完成后請有關機構按國家標準進行檢測。總體要求是各門、觀察窗、墻面、波導管等處對 15～100MHz范圍內距離在 2m時信號衰減大于90dB。

核磁共振裝置結構復雜,以上這些因素的好壞,是關系到以后機器使用壽命及成像質量的重要因素。在機房建設的時候要考慮到每一個細節,不僅能保證機器穩定運行,還能減少不必要的故障及損壞。

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